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美光科技指出，人工智能基礎設施對高端半導體的需求激增，正引發一場“史無前例”的內存芯片短缺。該公司警告，這一供應緊張局面在過去季度持續加劇，并將延續至2026年之后。

美光運營執行副總裁Manish Bhatia表示，AI加速器所需的高帶寬內存（HBM）“消耗了行業絕大部分可用產能，導致手機、個人電腦等傳統領域面臨嚴重短缺”。

芯片短缺已產生連鎖反應。據界面報道，由于內存成本上漲，小米、Oppo及傳音控股等主要手機制造商已下調2026年出貨目標，其中Oppo預測降幅高達20%。行業機構Counterpoint Research此前估計，因存儲芯片成本上升與產能擠壓，2026年全球智能手機出貨量可能下降2.1%。

影響范圍正持續擴大，戴爾等個人電腦制造商也已預警可能受短缺沖擊。與此同時，消費電子、自動駕駛及人形機器人等領域對存儲芯片的需求仍在攀升，多家廠商已開始爭奪2026年之后的產能供應。

AI需求重塑供應格局

全球三大內存芯片巨頭美光、SK海力士與三星電子股價在2025年因AI需求爆發而大幅上漲。SK海力士透露，公司2026年的芯片產能已全部售罄；美光也表示，其面向AI的高端內存產品在今年內已被預訂一空。過去一年，美光股價漲超231.6%。

為優先保障英偉達等戰略客戶的供應，美光于去年12月宣布將終止旗下廣受歡迎的消費級內存品牌Crucial的業務。DRAM作為構建高帶寬內存（HBM）的核心，為英偉達、英特爾等公司的先進處理器提供關鍵的運算環境，是確保AI加速器高效運行的重要基礎。

加速擴張產能

AI行業對內存芯片的巨大需求，正加速美光在美國與亞洲的產能擴張進程。周六，美光宣布計劃斥資18億美元收購中國臺灣一處現有工廠的廠址，該地區是這家總部位于愛達荷州博伊西的芯片制造商的關鍵生產基地。
此舉將顯著縮短新工廠的建設周期。公司預計將于2027年下半年實現大規模DRAM晶圓產出。美光運營執行副總裁Manish Bhatia在周五的采訪中指出，

“我們在亞洲的廠址將繼續向下一代技術演進，而新增的晶圓產能則將主要集中于美國本土。”

目前，美光正推進多項大型建廠計劃：其在紐約州錫拉丘茲附近斥資1000億美元的項目將建設四座DRAM晶圓廠，每座規模約相當于十個足球場，首批晶圓計劃于2030年下線。同時，公司正在博伊西的現有研發設施旁擴建兩座晶圓廠，其中首座愛達荷工廠預計2027年投產，第二座已在規劃中。此外，弗吉尼亞州的現有制造設施也在進行現代化改造與產能提升。

這些投資是美光承諾將40%的DRAM制造轉移至美國本土的重要組成，該目標得到了2024年獲得的62億美元《芯片法案》撥款支持，同時在建設期間還可享受35%的稅收抵免優惠。

來源：華爾街見聞官方賬號